IEEE 38th International System-on-Chip Conference (SOCC)2025
Cryogenic Characterization and Compact Modeling of Forward Body-Bias Effects in 180nm Bulk CMOS Transistors学生論文コンテスト 第1位
本論文では、7 Kにおける180 nmバルクCMOSの順方向基板バイアス効果を評価しました。トランジスタ測定、BSIM4ベースのコンパクトモデル、リングオシレータシミュレーションを示しています。順方向基板バイアスにより発振周波数低下の40%以上を回復し、電源電圧スケーリングとの併用により消費電力遅延積を34%削減しました。