LSIとシステムのワークショップ2025：優秀ポスター賞
極低温CMOSの測定・モデリングに関する研究を発表し、学生部門の優秀ポスター賞を受賞しました。
2025年5月、東京で開催されたLSIとシステムのワークショップ2025にて、バルクCMOSトランジスタにおける極低温のForward Body Biasingを用いた電流特性の測定とモデリング と題するポスター発表を行いました。本発表は学生部門の優秀ポスター賞を受賞しました。
研究概要
本研究では、極低温で生じるバルクCMOSトランジスタのしきい値電圧上昇を補償する方法として、順方向基板バイアスを検討しました。発表内容は次のとおりです。
- 極低温プロービング環境を用いた電流特性の測定
- 順方向基板バイアスを印加できる範囲と寄生導通の発生条件
- 測定結果に基づくコンパクトモデリング
